MUX509IDR характеристики	Выбрать все
Производитель	Texas Instruments
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	16-SOIC
Количество схем	2
Полоса пропускания -3 дБ	-
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	4:1
Переключающая схема	SP4T
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	170 Ohm
Напряжение питания (V+)	10 V ~ 36 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±5 V ~ 18 V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	2.4 Ohm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	136ns, 75ns
Инжекция заряда	0.3pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	2.4pF, 4.3pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	1nA
Перекрёстные помехи	-96dB @ 1MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Texas Instruments
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	16-SOIC
Количество схем	2
Полоса пропускания -3 дБ	-
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	4:1
Переключающая схема	SP4T
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	170 Ohm
Напряжение питания (V+)	10 V ~ 36 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±5 V ~ 18 V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	2.4 Ohm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	136ns, 75ns
Инжекция заряда	0.3pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	2.4pF, 4.3pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	1nA
Перекрёстные помехи	-96dB @ 1MHz

MUX509IDR

MUX509IDR характеристики