MPS6513_D26Z характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	625mW
Исполнение корпуса	TO-92-3
Тип транзистора	NPN
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	200mA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	30V
Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic	500mV @ 5mA, 50mA
Обратный ток коллектора (Max)	50nA (ICBO)
Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce	90 @ 2mA, 10V
Трансформация частоты	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	625mW
Исполнение корпуса	TO-92-3
Тип транзистора	NPN
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	200mA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	30V
Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic	500mV @ 5mA, 50mA
Обратный ток коллектора (Max)	50nA (ICBO)
Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce	90 @ 2mA, 10V
Трансформация частоты	-

MPS6513_D26Z

MPS6513_D26Z характеристики