Каталог товаров
Назад

MMIX4B20N300

  • Описание
    MOSFET N-CH


MMIX4B20N300 характеристики

Серия BIMOSFET™
Part Status Active
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 24-SMD Module, 9 Leads
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 150W
Конфигурация Full Bridge
Исполнение корпуса 24-SMPD
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 34A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 3000V
Тип IGBT -
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 20A
Вход Standard
NTC термистр No

Характеристики

Серия BIMOSFET™
Part Status Active
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 24-SMD Module, 9 Leads
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 150W
Конфигурация Full Bridge
Исполнение корпуса 24-SMPD
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 34A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 3000V
Тип IGBT -
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 20A
Вход Standard
NTC термистр No

MMIX4B20N300

  • Описание
    MOSFET N-CH

Бесплатная доставка MMIX4B20N300 по России

Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — массивы MMIX4B20N300 IXYS доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить MMIX4B20N300 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
IXA20PG1200DHGLB
Модуль: IGBT; диод/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 23А
45 шт.
34 шт.
от 2 546 ₽
+ 382
IXA40RG1200DHGLB
Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 43А
45 шт.
2 шт.
от 2 812 ₽
+ 422
Транзистор: IGBT x4; 2,5кВ; 4А; 100Вт; SMPD; Топология: Н мост
20 шт.
297 шт.
от 22 768 ₽
+ 3415