MMBTH10-7-F характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	300mW
Исполнение корпуса	SOT-23-3
Base Part Number	MMBTH10
Тип транзистора	NPN
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	50mA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	25V
Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce	60 @ 4mA, 10V
Трансформация частоты	650MHz
Уровень шума (дБ при f)	-
Усиление	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	300mW
Исполнение корпуса	SOT-23-3
Base Part Number	MMBTH10
Тип транзистора	NPN
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	50mA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	25V
Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce	60 @ 4mA, 10V
Трансформация частоты	650MHz
Уровень шума (дБ при f)	-
Усиление	-

MMBTH10-7-F

MMBTH10-7-F характеристики