MMBFU310LT1G от 85 ₽, Транзисторы — полевые с управляющим переходом (JFET), Транзистор: N-JFET; полевой; 25В; 0,225Вт; SOT23; 10мА, ON Semiconductor

MMBFU310LT1G характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	225mW
Исполнение корпуса	SOT-23-3 (TO-236)
Base Part Number	MBFU310
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5pF @ 10V (VGS)
Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)	25V
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	24mA @ 10V
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	2.5V @ 1nA

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	225mW
Исполнение корпуса	SOT-23-3 (TO-236)
Base Part Number	MBFU310
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5pF @ 10V (VGS)
Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)	25V
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	24mA @ 10V
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	2.5V @ 1nA