MMBFJ177LT1G от 80 ₽, Транзисторы — полевые с управляющим переходом (JFET), Транзистор: P-JFET; полевой; 20мА; 0,225Вт; SOT23, ON Semiconductor

MMBFJ177LT1G характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	225mW
Исполнение корпуса	SOT-23-3 (TO-236)
Base Part Number	MBFJ177
Тип полевого транзистора	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11pF @ 10V (VGS)
Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)	30V
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	1.5mA @ 15V
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	800mV @ 10nA
Сопротивление в режиме насыщения (RDS)	300 Ohms

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	225mW
Исполнение корпуса	SOT-23-3 (TO-236)
Base Part Number	MBFJ177
Тип полевого транзистора	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11pF @ 10V (VGS)
Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)	30V
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	1.5mA @ 15V
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	800mV @ 10nA
Сопротивление в режиме насыщения (RDS)	300 Ohms