MMBFJ112 от 75 ₽, Транзисторы — полевые с управляющим переходом (JFET), Транзистор: N-JFET; полевой; 0,35Вт; SOT23; 50мА, ON Semiconductor

MMBFJ112 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	350mW
Исполнение корпуса	SOT-23-3
Base Part Number	MBFJ112
Тип полевого транзистора	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-
Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)	35V
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	5mA @ 15V
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	1V @ 1µA
Сопротивление в режиме насыщения (RDS)	50 Ohms

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	350mW
Исполнение корпуса	SOT-23-3
Base Part Number	MBFJ112
Тип полевого транзистора	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-
Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)	35V
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	5mA @ 15V
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	1V @ 1µA
Сопротивление в режиме насыщения (RDS)	50 Ohms