MK70FN1M0VMJ12 характеристики	Выбрать все
Производитель	NXP USA Inc.
Серия	Kinetis K70
Part Status	Active
Упаковка	Tray
Корпус	256-LBGA
Рабочая температура	-40°C ~ 105°C (TA)
Исполнение корпуса	256-MAPPBGA (17x17)
Base Part Number	MK70FN1M0
Переферийные устройства	DMA, I?S, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Основной процессор	ARM® Cortex®-M4
Скорость	120MHz
Число входов/выходов	128
Объем EEPROM	-
Размер RAM памяти	128K x 8
Разрядность	32-Bit
Сетевое взаимодействие	CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I?C, IrDA, SD, SPI, UART/USART, USB, USB OTG
Размер памяти для программирования	1MB (1M x 8)
Тип памяти для программирования	FLASH
Напряжение питания(Vcc/Vdd)	1.71 V ~ 3.6 V
Преобразователи данных	A/D 71x16b. D/A 2x12b
Тип генератора колебаний	Internal

Характеристики	Выбрать все
Производитель	NXP USA Inc.
Серия	Kinetis K70
Part Status	Active
Упаковка	Tray
Корпус	256-LBGA
Рабочая температура	-40°C ~ 105°C (TA)
Исполнение корпуса	256-MAPPBGA (17x17)
Base Part Number	MK70FN1M0
Переферийные устройства	DMA, I?S, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Основной процессор	ARM® Cortex®-M4
Скорость	120MHz
Число входов/выходов	128
Объем EEPROM	-
Размер RAM памяти	128K x 8
Разрядность	32-Bit
Сетевое взаимодействие	CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I?C, IrDA, SD, SPI, UART/USART, USB, USB OTG
Размер памяти для программирования	1MB (1M x 8)
Тип памяти для программирования	FLASH
Напряжение питания(Vcc/Vdd)	1.71 V ~ 3.6 V
Преобразователи данных	A/D 71x16b. D/A 2x12b
Тип генератора колебаний	Internal

MK70FN1M0VMJ12

MK70FN1M0VMJ12 характеристики