MGSF1N03LT1G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23-3 (TO-236)
Рассеивание мощности (Макс)	420mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 1.2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23-3 (TO-236)
Рассеивание мощности (Макс)	420mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 1.2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

MGSF1N03LT1G

MGSF1N03LT1G характеристики