LN60A01EP-LF Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP, Monolithic Power Systems Inc.

LN60A01EP-LF характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Рабочая температура	-20°C ~ 125°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.3W
Исполнение корпуса	8-PDIP
Тип полевого транзистора	3 N-Channel, Common Gate
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	600V
Ток стока (Id) @ 25°C	80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 Ohm @ 10mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Рабочая температура	-20°C ~ 125°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.3W
Исполнение корпуса	8-PDIP
Тип полевого транзистора	3 N-Channel, Common Gate
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	600V
Ток стока (Id) @ 25°C	80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 Ohm @ 10mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-