LM293DR характеристики	Выбрать все
Производитель	Texas Instruments
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-25°C ~ 85°C
Тип	Differential
Тип выходного сигнала	CMOS, MOS, Open-Drain, TTL
Исполнение корпуса	8-SOIC
Base Part Number	LM293
Число элементов	2
Напряжение питания (±)	2 V ~ 36 V, ±1 V ~ 18 V
Входное смещение по напряжению (Max)	5mV @ 30V
Входное смещение по току (Макс)	0.25µA @ 5V
Выходной ток (Номинальный)	20mA
Собственный потребляемый ток (Макс)	2.5mA
Коэффициент ослабления синфазного сигнала (CMRR), Подавление пульсаций питания (PSRR) (Номинальное)	-
Задержка распространения (Макс)	-
Гистерезис	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Texas Instruments
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-25°C ~ 85°C
Тип	Differential
Тип выходного сигнала	CMOS, MOS, Open-Drain, TTL
Исполнение корпуса	8-SOIC
Base Part Number	LM293
Число элементов	2
Напряжение питания (±)	2 V ~ 36 V, ±1 V ~ 18 V
Входное смещение по напряжению (Max)	5mV @ 30V
Входное смещение по току (Макс)	0.25µA @ 5V
Выходной ток (Номинальный)	20mA
Собственный потребляемый ток (Макс)	2.5mA
Коэффициент ослабления синфазного сигнала (CMRR), Подавление пульсаций питания (PSRR) (Номинальное)	-
Задержка распространения (Макс)	-
Гистерезис	-

LM293DR

LM293DR характеристики