LM211DR характеристики	Выбрать все
Производитель	Texas Instruments
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Тип	General Purpose
Тип выходного сигнала	DTL, MOS, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL
Исполнение корпуса	8-SOIC
Base Part Number	LM211
Число элементов	1
Напряжение питания (±)	3.5 V ~ 30 V, ±1.75 V ~ 15 V
Входное смещение по напряжению (Max)	3mV @ ±15V
Входное смещение по току (Макс)	0.1µA @ ±15V
Выходной ток (Номинальный)	50mA
Собственный потребляемый ток (Макс)	6mA
Коэффициент ослабления синфазного сигнала (CMRR), Подавление пульсаций питания (PSRR) (Номинальное)	-
Задержка распространения (Макс)	-
Гистерезис	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Texas Instruments
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Тип	General Purpose
Тип выходного сигнала	DTL, MOS, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL
Исполнение корпуса	8-SOIC
Base Part Number	LM211
Число элементов	1
Напряжение питания (±)	3.5 V ~ 30 V, ±1.75 V ~ 15 V
Входное смещение по напряжению (Max)	3mV @ ±15V
Входное смещение по току (Макс)	0.1µA @ ±15V
Выходной ток (Номинальный)	50mA
Собственный потребляемый ток (Макс)	6mA
Коэффициент ослабления синфазного сигнала (CMRR), Подавление пульсаций питания (PSRR) (Номинальное)	-
Задержка распространения (Макс)	-
Гистерезис	-

LM211DR

LM211DR характеристики