Каталог товаров
Назад

IXXN200N65A4

  • Описание
    Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 200А; SOT227B


IXXN200N65A4 характеристики

Серия XPT™, GenX4™
Part Status Active
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус SOT-227-4, miniBLOC
Тип входа Standard
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности 1250W
Исполнение корпуса SOT-227B
Время восстановления запорного слоя (trr) 160ns
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 440A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 650V
Тип IGBT -
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 200A
Коллекторный ток (Icm) 1200A
Энергия переключения 8.8mJ (on), 6.7mJ (off)
Заряд затвора 736nC
Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C 140ns/1.04µs
Условие испытаний 400V, 100A, 1 Ohm, 15V

Характеристики

Серия XPT™, GenX4™
Part Status Active
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус SOT-227-4, miniBLOC
Тип входа Standard
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности 1250W
Исполнение корпуса SOT-227B
Время восстановления запорного слоя (trr) 160ns
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 440A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 650V
Тип IGBT -
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 200A
Коллекторный ток (Icm) 1200A
Энергия переключения 8.8mJ (on), 6.7mJ (off)
Заряд затвора 736nC
Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C 140ns/1.04µs
Условие испытаний 400V, 100A, 1 Ohm, 15V

IXXN200N65A4

  • Описание
    Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 200А; SOT227B
IXXN200N65A4
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатная доставка IXXN200N65A4 по России

Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные IXXN200N65A4 IXYS доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить IXXN200N65A4 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
IGBT 650V 5A TO263
1 шт.
243 шт.
от 484 ₽
+ 73
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: IGBT; 600В; 5А; 21,7Вт; TO252; Eвыкл: 0,04мДж
2,500 шт.
5000 шт.
от 414 ₽
+ 62
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 28Вт; TO252; Eвыкл: 0,07мДж
1 шт.
2208 шт.
от 412 ₽
+ 62
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвыкл: 0,049мДж
2,500 шт.
2459 шт.
от 212 ₽
+ 32
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: IGBT; 1,35кВ; 20А; 170Вт; TO247; 1,05мДж
240 шт.
158 шт.
от 1 072 ₽
+ 161
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: IGBT; 600В; 20А; 83Вт; TO247; Eвыкл: 0,18мДж
240 шт.
112 шт.
от 630 ₽
+ 95
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 114Вт; TO247; Eвыкл: 0,28мДж
240 шт.
103 шт.
от 926 ₽
+ 139
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 30А; 170Вт; TO247; 1,28мДж
240 шт.
195 шт.
от 1 019 ₽
+ 153
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: IGBT; 1,35кВ; 30А; 170Вт; TO247; 1,47мДж
240 шт.
205 шт.
от 1 091 ₽
+ 164
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 83Вт; TO247; Eвыкл: 0,24мДж
240 шт.
86 шт.
от 509 ₽
+ 76
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 150Вт; TO247; Eвыкл: 0,41мДж
240 шт.
129 шт.
от 938 ₽
+ 141
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: IGBT; 600В; 40А; 111Вт; TO247; Eвыкл: 0,3мДж
240 шт.
236 шт.
от 1 019 ₽
+ 153