IXTY1N80 Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA, IXYS

IXTY1N80 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252AA
Рассеивание мощности (Макс)	40W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	800V
Ток стока (Id) @ 25°C	750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	220pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252AA
Рассеивание мощности (Макс)	40W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	800V
Ток стока (Id) @ 25°C	750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	220pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V