IXTY1N100P Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 1А; 50Вт; TO252; 750нс, IXYS

IXTY1N100P характеристики	Выбрать все
Серия	Polar™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252, (D-Pak)
Рассеивание мощности (Макс)	50W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1000V
Ток стока (Id) @ 25°C	1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	331pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	Polar™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252, (D-Pak)
Рассеивание мощности (Макс)	50W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1000V
Ток стока (Id) @ 25°C	1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	331pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V