IXTY12N06T Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 60V 12A TO-252, IXYS

IXTY12N06T характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchMV™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252
Рассеивание мощности (Макс)	33W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	256pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchMV™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252
Рассеивание мощности (Макс)	33W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	256pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V