IXTY08N100D2 Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,8А; 60Вт; TO252, IXYS

IXTY08N100D2 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252, (D-Pak)
Рассеивание мощности (Макс)	60W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	Depletion Mode
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1000V
Ток стока (Id) @ 25°C	800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 Ohm @ 400mA, 0V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14.6nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	325pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252, (D-Pak)
Рассеивание мощности (Макс)	60W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	Depletion Mode
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1000V
Ток стока (Id) @ 25°C	800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 Ohm @ 400mA, 0V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14.6nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	325pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (Max)	±20V