IXTR200N10P характеристики	Выбрать все
Производитель	IXYS
Серия	HiPerFET™, PolarP2™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	ISOPLUS247™
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	ISOPLUS247™
Рассеивание мощности (Макс)	300W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 60A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	235nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7600pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	IXYS
Серия	HiPerFET™, PolarP2™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	ISOPLUS247™
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	ISOPLUS247™
Рассеивание мощности (Макс)	300W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 60A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	235nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7600pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

IXTR200N10P

IXTR200N10P характеристики