IXTN8N150L от 10908 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Модуль; одиночный транзистор; 1,5кВ; 7,5А; SOT227B; винтами; 545Вт, IXYS

IXTN8N150L характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	SOT-227-4, miniBLOC
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-227B
Рассеивание мощности (Макс)	545W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1500V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6 Ohm @ 4A, 20V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	250nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8000pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	SOT-227-4, miniBLOC
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-227B
Рассеивание мощности (Макс)	545W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1500V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6 Ohm @ 4A, 20V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	250nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8000pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Vgs (Max)	±30V