IXTN660N04T4 Транзисторы — полевые — одиночные, 40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT, IXYS

IXTN660N04T4 характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchT4™
Part Status	Active
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	SOT-227-4, miniBLOC
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-227B
Рассеивание мощности (Макс)	1040W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	Current Sensing
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	660A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.85 mOhm @ 100A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	860nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	44000pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±15V

Характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchT4™
Part Status	Active
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	SOT-227-4, miniBLOC
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-227B
Рассеивание мощности (Макс)	1040W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	Current Sensing
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	660A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.85 mOhm @ 100A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	860nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	44000pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±15V