IXTN60N50L2 от 9421 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 53А; SOT227B; винтами; 735Вт, IXYS

IXTN60N50L2 характеристики	Выбрать все
Серия	Linear L2™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	SOT-227-4, miniBLOC
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-227B
Рассеивание мощности (Макс)	735W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	500V
Ток стока (Id) @ 25°C	53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 30A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	610nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	24000pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Серия	Linear L2™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	SOT-227-4, miniBLOC
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-227B
Рассеивание мощности (Макс)	735W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	500V
Ток стока (Id) @ 25°C	53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 30A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	610nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	24000pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V