IXTN40P50P от 7366 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Модуль; одиночный транзистор; -500В; -40А; SOT227B; винтами; 890Вт, IXYS

IXTN40P50P характеристики	Выбрать все
Серия	PolarP™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	SOT-227-4, miniBLOC
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-227B
Рассеивание мощности (Макс)	890W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	500V
Ток стока (Id) @ 25°C	40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	230 mOhm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	205nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11500pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	PolarP™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	SOT-227-4, miniBLOC
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-227B
Рассеивание мощности (Макс)	890W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	500V
Ток стока (Id) @ 25°C	40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	230 mOhm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	205nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11500pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V