IXRFSM18N50 характеристики	Выбрать все
Производитель	IXYS-RF
Серия	SMPD
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	16-SMPD
Рассеивание мощности (Макс)	835W
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	500V
Ток стока (Id) @ 25°C	19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	340 mOhm @ 9.5A, 20V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	6.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2250pF @ 400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	IXYS-RF
Серия	SMPD
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	16-SMPD
Рассеивание мощности (Макс)	835W
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	500V
Ток стока (Id) @ 25°C	19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	340 mOhm @ 9.5A, 20V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	6.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2250pF @ 400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Vgs (Max)	±20V

IXRFSM18N50

IXRFSM18N50 характеристики