IXGN200N170

Описание

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 160А; SOT227B

12 624 ₽

цена с НДС

410 шт
4-6 недель

1 шт

12 624 ₽
10 шт

9 727 ₽
100 шт

9 676 ₽

Добавить в корзину 1 шт на сумму 12 624 ₽
При покупке кэшбэк 1 893 балла

Добавить в корзину

Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!

Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

IXGN200N170 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	SOT-227-4, miniBLOC
Тип входа	Standard
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1250W
Исполнение корпуса	SOT-227B
Время восстановления запорного слоя (trr)	133ns
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	280A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	1700V
Тип IGBT	-
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.6V @ 15V, 100A
Коллекторный ток (Icm)	1050A
Энергия переключения	28mJ (on), 30mJ (off)
Заряд затвора	540nC
Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C	37ns/320ns
Условие испытаний	850V, 100A, 1 Ohm, 15V

Производитель

IXYS

Документация

Datasheetpdf, 8,1 KB

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	SOT-227-4, miniBLOC
Тип входа	Standard
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1250W
Исполнение корпуса	SOT-227B
Время восстановления запорного слоя (trr)	133ns
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	280A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	1700V
Тип IGBT	-
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.6V @ 15V, 100A
Коллекторный ток (Icm)	1050A
Энергия переключения	28mJ (on), 30mJ (off)
Заряд затвора	540nC
Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C	37ns/320ns
Условие испытаний	850V, 100A, 1 Ohm, 15V

IXGN200N170

Описание

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 160А; SOT227B

* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию

Производитель

IXYS

Документация

Datasheetpdf, 8,1 KB

Бесплатно доставим IXGN200N170 в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные IXGN200N170 IXYS доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить IXGN200N170 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.

Похожие товары

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

IGBT 650V 5A TO263

1 шт - в наличии

226 шт - 4-6 недель

от 379 ₽

Кэшбэк + 57

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 600В; 5А; 21,7Вт; TO252; Eвыкл: 0,04мДж

2181 шт - 4-6 недель

от 130 ₽

Кэшбэк + 20

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 28Вт; TO252; Eвыкл: 0,07мДж

2196 шт - 4-6 недель

от 323 ₽

Кэшбэк + 48

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвыкл: 0,049мДж

2425 шт - 4-6 недель

от 150 ₽

Кэшбэк + 23

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 1,35кВ; 20А; 170Вт; TO247; 1,05мДж

188 шт - 4-6 недель

от 863 ₽

Кэшбэк + 129

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 600В; 20А; 83Вт; TO247; Eвыкл: 0,18мДж

87 шт - 4-6 недель

от 556 ₽

Кэшбэк + 83

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 114Вт; TO247; Eвыкл: 0,28мДж

687 шт - 4-6 недель

от 511 ₽

Кэшбэк + 77

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 30А; 170Вт; TO247; 1,28мДж

64 шт - 4-6 недель

от 899 ₽

Кэшбэк + 135

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 1,35кВ; 30А; 170Вт; TO247; 1,47мДж

209 шт - 4-6 недель

от 744 ₽

Кэшбэк + 112

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 83Вт; TO247; Eвыкл: 0,24мДж

5 шт - 4-6 недель

от 449 ₽

Кэшбэк + 67

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 150Вт; TO247; Eвыкл: 0,41мДж

121 шт - 4-6 недель

от 874 ₽

Кэшбэк + 131

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 600В; 40А; 111Вт; TO247; Eвыкл: 0,3мДж

115 шт - 4-6 недель

от 947 ₽

Кэшбэк + 142

Смотреть все

Выберите ваш город