IXFX62N25 Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 250V 62A PLUS247, IXYS

IXFX62N25 характеристики	Выбрать все
Производитель	IXYS
Серия	HiPerFET™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PLUS247™-3
Рассеивание мощности (Макс)	390W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	250V
Ток стока (Id) @ 25°C	62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 31A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	240nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6600pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	IXYS
Серия	HiPerFET™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PLUS247™-3
Рассеивание мощности (Макс)	390W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	250V
Ток стока (Id) @ 25°C	62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 31A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	240nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6600pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V