IXFT14N100 характеристики	Выбрать все
Производитель	IXYS
Серия	HiPerFET™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-268-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-268
Рассеивание мощности (Макс)	360W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1000V
Ток стока (Id) @ 25°C	14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	220nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4500pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	IXYS
Серия	HiPerFET™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-268-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-268
Рассеивание мощности (Макс)	360W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1000V
Ток стока (Id) @ 25°C	14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	220nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4500pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

IXFT14N100

IXFT14N100 характеристики