IXFH50N85X характеристики	Выбрать все
Производитель	IXYS
Серия	HiPerFET™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-247
Рассеивание мощности (Макс)	890W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	850V
Ток стока (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105 mOhm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	152nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4480pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	IXYS
Серия	HiPerFET™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-247
Рассеивание мощности (Макс)	890W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	850V
Ток стока (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105 mOhm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	152nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4480pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

IXFH50N85X

IXFH50N85X характеристики