IRLR014TRPBF от 231 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 7,7А; Idm: 31А; 25Вт; DPAK,TO252, Vishay Siliconix

IRLR014TRPBF характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	D-Pak
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta), 25W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 4.6A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.4nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	400pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Vgs (Max)	±10V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	D-Pak
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta), 25W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 4.6A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.4nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	400pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Vgs (Max)	±10V