IRLML6244TRPBF характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	Micro3™/SOT-23
Рассеивание мощности (Макс)	1.3W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.1V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	Micro3™/SOT-23
Рассеивание мощности (Макс)	1.3W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.1V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V

IRLML6244TRPBF

IRLML6244TRPBF характеристики