IRLL110TRPBF от 145 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,93А; 3,1Вт; SOT223, Vishay Siliconix

IRLL110TRPBF характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-261-4, TO-261AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-223
Рассеивание мощности (Макс)	2W (Ta), 3.1W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	540 mOhm @ 900mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.1nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Vgs (Max)	±10V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-261-4, TO-261AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-223
Рассеивание мощности (Макс)	2W (Ta), 3.1W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	540 mOhm @ 900mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.1nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Vgs (Max)	±10V