IRL630STRRPBF от 640 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 9А; Idm: 36А; 74Вт; D2PAK,TO263, Vishay Siliconix

IRL630STRRPBF характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	D2PAK
Рассеивание мощности (Макс)	3.1W (Ta), 74W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	200V
Ток стока (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 5.4A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Vgs (Max)	±10V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	D2PAK
Рассеивание мощности (Макс)	3.1W (Ta), 74W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	200V
Ток стока (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 5.4A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Vgs (Max)	±10V