IRL520L Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-262, Vishay Siliconix

IRL520L характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-262-3
Рассеивание мощности (Макс)	60W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270 mOhm @ 5.5A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	490pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Vgs (Max)	±10V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-262-3
Рассеивание мощности (Макс)	60W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270 mOhm @ 5.5A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	490pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Vgs (Max)	±10V