IRL3302L Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 20V 39A TO-262, Vishay Siliconix

IRL3302L характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-262-3
Рассеивание мощности (Макс)	57W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 23A, 7V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 7V
Vgs (Max)	±10V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-262-3
Рассеивание мощности (Макс)	57W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 23A, 7V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 7V
Vgs (Max)	±10V