IRFU4105ZTRR Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK, Vishay Siliconix

IRFU4105ZTRR характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-251AA
Рассеивание мощности (Макс)	48W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	55V
Ток стока (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24.5 mOhm @ 18A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	740pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-251AA
Рассеивание мощности (Макс)	48W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	55V
Ток стока (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24.5 mOhm @ 18A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	740pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V