IRFSL31N20DTRR Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 200V 31A TO-262, Vishay Siliconix

IRFSL31N20DTRR характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	I2PAK
Рассеивание мощности (Макс)	3.1W (Ta), 200W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	200V
Ток стока (Id) @ 25°C	31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	82 mOhm @ 18A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2370pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	I2PAK
Рассеивание мощности (Макс)	3.1W (Ta), 200W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	200V
Ток стока (Id) @ 25°C	31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	82 mOhm @ 18A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2370pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V