IRFR7746PBF Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK, Infineon Technologies

IRFR7746PBF характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D-PAK (TO-252AA)
Рассеивание мощности (Макс)	99W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	75V
Ток стока (Id) @ 25°C	56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.2 mOhm @ 35A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.7V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	89nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3107pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D-PAK (TO-252AA)
Рассеивание мощности (Макс)	99W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	75V
Ток стока (Id) @ 25°C	56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.2 mOhm @ 35A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.7V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	89nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3107pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V