IRFR18N15DTRR Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 150V 18A DPAK, Infineon Technologies

IRFR18N15DTRR характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D-Pak
Рассеивание мощности (Макс)	110W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	150V
Ток стока (Id) @ 25°C	18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 11A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	43nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D-Pak
Рассеивание мощности (Макс)	110W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	150V
Ток стока (Id) @ 25°C	18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 11A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	43nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V