IRFR13N20DTRPBF Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 14А; 110Вт; DPAK, Infineon Technologies

IRFR13N20DTRPBF характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D-Pak
Рассеивание мощности (Макс)	110W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	200V
Ток стока (Id) @ 25°C	13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	235 mOhm @ 8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	830pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D-Pak
Рассеивание мощности (Макс)	110W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	200V
Ток стока (Id) @ 25°C	13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	235 mOhm @ 8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	830pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V