Каталог товаров
Назад

IRFR120NTRLPBF

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 9,1А; 39Вт; DPAK
330
  • 1 шт
    330 ₽
  • 10 шт
    209 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 330
При покупке кэшбэк 49


IRFR120NTRLPBF характеристики

Серия HEXFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса D-Pak
Рассеивание мощности (Макс) 48W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210 mOhm @ 5.6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±20V
  • Производитель
    Infineon Technologies

Характеристики

Серия HEXFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса D-Pak
Рассеивание мощности (Макс) 48W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210 mOhm @ 5.6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±20V

IRFR120NTRLPBF

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 9,1А; 39Вт; DPAK
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Infineon Technologies

Бесплатная доставка IRFR120NTRLPBF по России

Транзисторы — полевые — одиночные IRFR120NTRLPBF Infineon Technologies доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить IRFR120NTRLPBF с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,03А; 0,89Вт; SOT23A-3
3,000 шт.
535 шт.
от 34 ₽
+ 26
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
1 шт.
13800 шт.
от 131 ₽
+ 20
AO3400
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
3,000 шт.
534 шт.
от 44 ₽
+ 178
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,7А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
588078 шт.
от 108 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
635732 шт.
от 108 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,2А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
3228 шт.
от 56 ₽
+ 25
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
1 шт.
649 шт.
от 34 ₽
+ 26
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,9А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
2031 шт.
от 124 ₽
+ 19
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,9А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
1155 шт.
от 34 ₽
+ 26
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,3А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
1853 шт.
от 34 ₽
+ 26
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
1 шт.
1586 шт.
от 36.5 ₽
+ 5
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23
1 шт.
2368 шт.
от 43 ₽
+ 6