IRFP044NPBF Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC, Infineon Technologies

IRFP044NPBF характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-247AC
Рассеивание мощности (Макс)	120W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	55V
Ток стока (Id) @ 25°C	53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 29A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	61nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-247AC
Рассеивание мощности (Макс)	120W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	55V
Ток стока (Id) @ 25°C	53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 29A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	61nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V