IRFL4105TRPBF от 177 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223, Infineon Technologies

IRFL4105TRPBF характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-261-4, TO-261AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-223
Рассеивание мощности (Макс)	1W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	55V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 3.7A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-261-4, TO-261AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-223
Рассеивание мощности (Макс)	1W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	55V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 3.7A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V