Каталог товаров
Назад

IRFL1006PBF

  • Описание
    MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
447
  • 3 шт
    447 ₽
Добавить в корзину 3 шт на сумму 1 341
При покупке кэшбэк 201 балл


IRFL1006PBF характеристики

Серия HEXFET®
Part Status Obsolete
Упаковка Tube
Вид монтажа Surface Mount
Корпус TO-261-4, TO-261AA
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса SOT-223
Рассеивание мощности (Макс) 1W (Ta)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
Ток стока (Id) @ 25°C 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220 mOhm @ 1.6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±20V
  • Производитель
    International Rectifier

Характеристики

Серия HEXFET®
Part Status Obsolete
Упаковка Tube
Вид монтажа Surface Mount
Корпус TO-261-4, TO-261AA
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса SOT-223
Рассеивание мощности (Макс) 1W (Ta)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
Ток стока (Id) @ 25°C 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220 mOhm @ 1.6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±20V

IRFL1006PBF

  • Описание
    MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
IRFL1006PBF
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    International Rectifier

Бесплатная доставка IRFL1006PBF по России

Транзисторы — полевые — одиночные IRFL1006PBF Infineon Technologies доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить IRFL1006PBF с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,03А; 0,89Вт; SOT23A-3
3,000 шт.
535 шт.
от 33.5 ₽
+ 25
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
1 шт.
13800 шт.
от 130 ₽
+ 20
AO3400
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
3,000 шт.
534 шт.
от 43 ₽
+ 174
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,7А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
588078 шт.
от 107 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
635732 шт.
от 107 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,2А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
12701 шт.
от 107 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
1 шт.
25249 шт.
от 88 ₽
+ 13
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,9А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
521592 шт.
от 102 ₽
+ 15
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,9А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
66998 шт.
от 98 ₽
+ 15
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,3А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
743385 шт.
от 107 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
1 шт.
24078 шт.
от 95 ₽
+ 14
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23
1 шт.
21248 шт.
от 102 ₽
+ 15