IRFI4212H-117P Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2N-CH 100V 11A TO-220FP-5, Infineon Technologies

IRFI4212H-117P характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-5 Full Pack
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	18W
Исполнение корпуса	TO-220-5 Full-Pak
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	72.5 mOhm @ 6.6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	490pF @ 50V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-5 Full Pack
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	18W
Исполнение корпуса	TO-220-5 Full-Pak
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	72.5 mOhm @ 6.6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	490pF @ 50V