Каталог товаров
Назад

IRFI4110GPBF

  • Описание
    MOSFET N-CH 100V 72A TO220AB
893
  • 1 шт
    893 ₽
  • 10 шт
    803 ₽
  • 25 шт
    596 ₽
  • 100 шт
    542 ₽
  • 250 шт
    540 ₽
  • 500 шт
    449 ₽
  • 1000 шт
    419 ₽
  • 2000 шт
    416 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 893
При покупке кэшбэк 133 балла


IRFI4110GPBF характеристики

Серия HEXFET®
Part Status Active
Упаковка Tube
Вид монтажа Through Hole
Корпус TO-220-3 Full Pack
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса TO-220AB Full-Pak
Рассеивание мощности (Макс) 61W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 43A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 290nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9540pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±20V
  • Производитель
    Infineon Technologies

Характеристики

Серия HEXFET®
Part Status Active
Упаковка Tube
Вид монтажа Through Hole
Корпус TO-220-3 Full Pack
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса TO-220AB Full-Pak
Рассеивание мощности (Макс) 61W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 43A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 290nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9540pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±20V

IRFI4110GPBF

  • Описание
    MOSFET N-CH 100V 72A TO220AB
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Infineon Technologies

Бесплатная доставка IRFI4110GPBF по России

Транзисторы — полевые — одиночные IRFI4110GPBF Infineon Technologies доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить IRFI4110GPBF с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Сопутствующие товары
шт.
по запросу
Analog Devices Inc.
IC MOSFET DVR 4A DL HS 8SOIC
1 шт.
894 шт.
от 747 ₽
+ 112
шт.
4875 шт.
от 607 ₽
+ 91

Похожие товары
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,03А; 0,89Вт; SOT23A-3
3,000 шт.
535 шт.
от 33.5 ₽
+ 25
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
1 шт.
13800 шт.
от 130 ₽
+ 20
AO3400
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
3,000 шт.
534 шт.
от 43 ₽
+ 174
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,7А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
588078 шт.
от 107 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
635732 шт.
от 107 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,2А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
12701 шт.
от 107 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
1 шт.
25249 шт.
от 88 ₽
+ 13
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,9А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
521592 шт.
от 102 ₽
+ 15
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,9А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
66998 шт.
от 98 ₽
+ 15
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,3А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
743385 шт.
от 107 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
1 шт.
24078 шт.
от 95 ₽
+ 14
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23
1 шт.
21248 шт.
от 102 ₽
+ 15