Каталог товаров
Назад

IRFHM8326TRPBF

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 19А; 2,8Вт; PQFN3.3X3.3
223
  • 1 шт
    223 ₽
  • 10 шт
    140 ₽
  • 100 шт
    91 ₽
  • 500 шт
    70 ₽
  • 1000 шт
    64 ₽
  • 2000 шт
    58 ₽
  • 4000 шт
    53 ₽
  • 8000 шт
    49 ₽
  • 12000 шт
    47 ₽
  • 20000 шт
    46 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 223
При покупке кэшбэк 33 балла


IRFHM8326TRPBF характеристики

Серия HEXFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerTDFN
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности (Макс) 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2496pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V
  • Производитель
    Infineon Technologies

Характеристики

Серия HEXFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerTDFN
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности (Макс) 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2496pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V

IRFHM8326TRPBF

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 19А; 2,8Вт; PQFN3.3X3.3
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Infineon Technologies

Бесплатная доставка IRFHM8326TRPBF по России

Транзисторы — полевые — одиночные IRFHM8326TRPBF Infineon Technologies доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить IRFHM8326TRPBF с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Сопутствующие товары
Chip Quik Inc.
REMOVAL KIT FOR COMPONENTS SMD
1 шт.
89 шт.
от 3 404 ₽
+ 511

Похожие товары
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,03А; 0,89Вт; SOT23A-3
3,000 шт.
535 шт.
от 34 ₽
+ 26
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
1 шт.
13800 шт.
от 130 ₽
+ 20
AO3400
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
3,000 шт.
534 шт.
от 43 ₽
+ 174
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,7А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
588078 шт.
от 107 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
635732 шт.
от 107 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,2А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
12701 шт.
от 107 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
1 шт.
25249 шт.
от 88 ₽
+ 13
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,9А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
521592 шт.
от 102 ₽
+ 15
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,9А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
66998 шт.
от 98 ₽
+ 15
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,3А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
743385 шт.
от 107 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
1 шт.
24078 шт.
от 95 ₽
+ 14
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23
1 шт.
21248 шт.
от 102 ₽
+ 15