IRFHM792TRPBF от 190 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN, Infineon Technologies

IRFHM792TRPBF характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.3W
Исполнение корпуса	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Base Part Number	IRFHM792PBF
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	195 mOhm @ 2.9A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	251pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.3W
Исполнение корпуса	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Base Part Number	IRFHM792PBF
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	195 mOhm @ 2.9A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	251pF @ 25V