+7 (495) 133-39-03 | info@zener.ru
+7 (495) 133-39-03
корзина
Нет товаров
Электронные компоненты оптом и в розницу
корзина
Нет товаров
Каталог товаров
Назад
Все категории
Назад

IRFHE4250DTRPBF

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
434 ₽
  • 156 шт
    434 ₽
Добавить в корзину 156 шт на сумму 67 704 ₽
При покупке кэшбэк 10 155 баллов
Добавить в корзину


IRFHE4250DTRPBF характеристики
Серия FASTIRFET™
Part Status Obsolete
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 32-PowerWFQFN
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 156W
Исполнение корпуса 32-PQFN (6x6)
Base Part Number IRFHE4250
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 25V
Ток стока (Id) @ 25°C 86A, 303A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.75 mOhm @ 27A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.1V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1735pF @ 13V
  • Производитель
    International Rectifier

Характеристики
Серия FASTIRFET™
Part Status Obsolete
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 32-PowerWFQFN
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 156W
Исполнение корпуса 32-PQFN (6x6)
Base Part Number IRFHE4250
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 25V
Ток стока (Id) @ 25°C 86A, 303A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.75 mOhm @ 27A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.1V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1735pF @ 13V

IRFHE4250DTRPBF

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
IRFHE4250DTRPBF
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    International Rectifier

Бесплатная доставка IRFHE4250DTRPBF по России

Транзисторы — полевые — массивы IRFHE4250DTRPBF Infineon Technologies доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить IRFHE4250DTRPBF с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
ALD1102PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
22 шт.
от 1 839 ₽
+ 276
ALD1102SAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
12 шт.
от 1 473 ₽
+ 221
ALD1103PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
262 шт.
от 1 995 ₽
+ 299
ALD1103SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
118 шт.
от 1 970 ₽
+ 296
ALD1105PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
196 шт.
от 1 576 ₽
+ 236
ALD1105SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
63 шт.
от 1 540 ₽
+ 231
ALD1106PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
542 шт.
от 1 668 ₽
+ 250
ALD1106SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
635 шт.
от 1 545 ₽
+ 232
ALD1107PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
273 шт.
от 1 668 ₽
+ 250
ALD1107SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
30 шт.
от 1 318 ₽
+ 198
ALD110800APCL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
50 шт.
45 шт.
от 2 141 ₽
+ 321
ALD110800PCL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
50 шт.
30 шт.
от 1 498 ₽
+ 225
Смотреть все
Выберите ваш город