IRFH7932TR2PBF Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56, Infineon Technologies

IRFH7932TR2PBF характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PQFN (5x6) Single Die
Рассеивание мощности (Макс)	3.4W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	24A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3 mOhm @ 25A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	51nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4270pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PQFN (5x6) Single Die
Рассеивание мощности (Макс)	3.4W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	24A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3 mOhm @ 25A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	51nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4270pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V