IRFH7911TR2PBF Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN, Infineon Technologies

IRFH7911TR2PBF характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	18-PowerVQFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.4W, 3.4W
Исполнение корпуса	PQFN (5x6)
Base Part Number	IRFH7911PBF
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	13A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.6 mOhm @ 12A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1060pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	18-PowerVQFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.4W, 3.4W
Исполнение корпуса	PQFN (5x6)
Base Part Number	IRFH7911PBF
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	13A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.6 mOhm @ 12A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1060pF @ 15V