IRFH7191TRPBF Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 100V 15A, Infineon Technologies

IRFH7191TRPBF характеристики	Выбрать все
Серия	FASTIRFET™, HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PQFN (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	3.6W (Ta), 104W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 48A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.6V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1685pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	FASTIRFET™, HEXFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PQFN (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	3.6W (Ta), 104W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 48A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.6V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1685pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V